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| été Hynix, à Séoul (Photo : Jung Yeon-Je) |
[13/07/2011 08:43:23] TOKYO (AFP) Le groupe japonais Toshiba a annoncé mercredi un accord avec le sud-coréen Hynix pour développer et produire des mémoires de nouvelle génération MRAM, en exploitant une propriété des électrons mises en évidence par le Prix Nobel de physique français Albert Fert.
“Une fois le développement achevé, nous allons fabriquer conjointement ces mémoires via une coentreprise”, ont précisé les deux groupes dans un communiqué conjoint.
Toshiba, spécialiste des mémoires Flash NAND considère que la technologie MRAM permettra de soutenir la croissance future de son activité de semi-conducteurs. Il avait mis au point un prototype de cellule mémoire MRAM (mémoire magnétorésistive à accès aléatoire) dès 2007.
Hynix détient pour sa part des technologies de pointe et des processus de fabrication jugés compétitifs.
“Développer une nouvelle technologie est toujours risqué” et une des raisons de cette collaboration “est de minimiser les risques et d’accélérer le rythme de la commercialisation de MRAM”, selon le communiqué.
La mémoire de type MRAM est capable de conserver les données même en l’absence d’alimentation électrique. Econome en énergie, elle fonctionne à ultra-haute vitesse.
Un atout pour les applications nécessitant une haute densité de mémoire et une basse consommation. C’est notamment le cas des téléphones mobiles.
Les MRAM font appel à un procédé appelé “transfert de spin” découvert par le chercheur Albert Fert, co-lauréat en 2007 du Japan Prize et du prix Nobel de physique.
Le “transfert de spin” est une façon totalement nouvelle d’écrire une mémoire magnétique. Il permet de stocker des données en exploitant un très faible courant électrique.
De plus, l’enregistrement est effectué dans la profondeur de la couche physique, ce qui permet d’emmagasiner plus de données par unité de surface.
Ce mode est désormais fréquemment utilisé pour accroître la capacité des disques durs, mais Toshiba est parvenu le premier à l’appliquer à une puce.
